窒化シリコンメンブレンTEMウィンドウ
Silicon Nitride Membrane TEM Windows
窒化シリコンメンブレンTEMウィンドウ ＜SiN Membrane TEM Windows＞
5nm, 10nm, 20nm, 50nm, Micro Porous
● プラズマクリーニングが可能 : 窒化シリコンTEMウィンドウは、カーボングリッドと異なり強度にプラズマクリーニングが可能です。
● 均一性の向上 : フィールドからフィールドへの変動性が減少しました。
● 1000℃以上の耐熱性 : 高温で動的プロセスが観察される環境のTEMをサポートします。
● 化学的・機械的に非常に堅牢 : ほぼ全ての酸、アルカリ、有機溶媒に耐えることができ、コロイド、繊維、ナノ粒子、粉末、高分子及び線材料などの沈着、成長を直接支持膜上で観察、解析することができます。半導体産業に一般的なCVD、スパッター、電子ビーム或いは蒸着法などを適用できます。
● シリコンフレーム：径3mm
| Amorphous Pure Silicon | Porous Nanocrystalline Silicon | Silicon Dioxide | Silicon Nitride | カーボン膜 ＜標準＞ | カーボン膜 ＜極薄＞ |
|
| 非結晶 純シリコン膜 | 多孔ナノ結晶性 シリコン膜 | 二酸化 シリコン膜 | 窒化 シリコン膜 |
|||
| メンブレン厚 | 5, 9, 15nm | 30nm | 20, 40nm | 5, 10 20, 50nm | 20～50nm | ～10nm |
| 画質 | 優れる | 良好 | 有効 | 良好 | 有効 | 良好 |
| プラズマ洗浄 | 可能 | 不可 | ||||
| 元素分析 バックグラウンド | Siのみ | Si, O | Si, N | C, H | ||
| 熱的安定性 | ～600℃ | >1000℃ | ～400℃ | |||
| 化学安定性 | 強塩基を避ける | 良好 | 優れる | 良好 | ||
| 高ビーム電流 耐性 | 優れる | 有効 | 優れる | |||
| コンタミネーション 原因物質 | なし | カーボン | ||||
| ナノスケール細孔 | なし | 有り | なし | なし | ||
| バックグラウンド 特色 | なし | ナノ結晶 | なし | なし | ||
窒化シリコンメンブレンTEMウィンドウ
SN100-A05Q00
SN100H-A05Q33A
SN100H-A10Q33
SN100H-A10Q33B
SN100-A20Q05
SN100H-A20Q33
SN100-A50Q10
SN100-A50Q01
SN100-A50Q05
SN100H-A50Q33
| Cat No. | フレーム厚 | 膜厚 | ウィンドウ | 枚数 |
|---|---|---|---|---|
| SN100-A05Q00 | 100μm | 5nm | 25×25μm Single Window | 10 |
| SN100H-A05Q33A [Hex frame] | 50×50μm (8) 50×100μm (1) 9 Windows |
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| SN100H-A05L [Hex frame] | 50×1500μm (2) 2 Slots |
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| SN100H-A10Q33 [Hex frame] | 10nm | 100×100μm (8) 100×350μm (1) 9 Windows |
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| SN100H-A10Q33B [Hex frame] | 250×250μm (8) 250×500μm (1) 9 Windows |
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| SN100-A20Q05 | 20nm | 500×500μm Single Window |
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| SN100H-A20Q33 [Hex frame] | 100×100μm (8) 100×350μm (1) 9 Windows |
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| SN100-A50Q01 | 50nm | 100×100μm Single Window |
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| SN100-A50Q05 | 500×500μm Single Window |
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| SN100-A50Q10 | 1000×1000μm Single Window |
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| SN100H-A50Q33 [Hex frame] | 100×100μm (8) 100×350μm (1) 9 Windows |
微細孔窒化シリコンメンブレンTEMウィンドウ
Microporous Silicon Nitride Membrane TEM Windows
500×500μmウィンドウ内の20nmまたは50nm厚の窒化シリコン膜に、2μmの微細孔がパターン形成されています。微細孔ウィンドウは様々な薄膜(例:グラフェン)のマウントに使用できます。また、CryoEM及び高傾斜トモグラフィーに使用することができます。70°傾斜角では、斜角の付けられた薄い100μmフレームは、どんな回転配向からのウィンドウ中心内領域(~50×50μm)も使用することができます。
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SN100-A50MP2Q05
SN100-A20MP2Q05
| Cat No. | フレーム厚 | 膜厚 | ウィンドウ | 枚数 |
|---|---|---|---|---|
| SN100-A20MP2Q05 | 100μm | 20nm | 500×500μm | 10 |
| SN100-A50MP2Q05 | 50nm |
UltraSM 純シリコンメンブレンTEMウィンドウ
Amorphous Pure Silicon TEM Windows
5nm, 9nm, 15nm
● ナノメーターの薄さ : 5～15nm厚の非常に薄い純シリコン膜は、バックグラウンドの寄与や干渉を減少させ、高コントラスト画像を得ることができます。また、5nm厚の純シリコン膜は、商用で最も薄いアモルファスカーボン膜よりも薄い膜になります。
● プラズマクリーニングが可能 : Ultra SM シリコンTEMウィンドウは、カーボングリッドと異なり強度にプラズマクリーニングが可能です。有機不純物を取り除き、画質を向上することができます。
● 均一性の向上 : フィールドからフィールドへの変動性が減少しました。
● 1000℃以上(non-porousは600℃以上)の耐熱性 : 高温で動的プロセスが観察される環境のTEMをサポートします。
● 色にじみが減少 : 商用で最も薄いアモルファスカーボン膜と比較すると、5 nm 非孔開きシリコンTEMウィンドウの色にじみは半分です。この劇的な違いはシリコンTEMウィンドウの薄膜を通過する非弾性散乱電子が半分に減少したことから生じます。色にじみの減少により、画質は倍のコントラストへ改善します。
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● ナノスケールの微細孔 : UltraSM TEMウィンドウは径5～50nmの孔開きフィルムを選択できます。この微細孔により、ナノスケール材料のバックグラウンドのない画像が得られます。
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● 孤立した多結晶 : Porous(孔開き) UltraSM TEM Windowsの多結晶性により、X線解析研究の標準較正が可能です。孤立した結晶特性は、高分解能寸法計測において、便利で信頼性のある計測を提供します。シリコン結晶格子がよく特徴付けられています。画像をクリックすると拡大します。→
● シリコン組成 : Ultra SM シリコンTEMグリッド膜のシリコンの元素組成は、高アニーリング温度及び高ビーム電流下での安定性を著しく増加させます。また、純シリコン組成はバックグラウンドシグナルの最小化し、EDXやEELSによる窒素やカーボンを含んだ試料の元素分析を可能にします。
● 親水性 : 非孔開き及び孔開きUltraSM TEMウィンドウの親水性は、プラズマ又はオゾン処理によって調整でき、特に水溶液試料の試料調整を容易にします。
純シリコンメンブレンTEMウィンドウ
Non-Porous Pure Silicon UltraSM TEM Windows
US100-A05Q00
US100-A05Q33A
US100-A05L
US100H-A09Q33
US100-A15Q33
| Cat No. | フレーム厚 | 膜厚 | ウィンドウサイズ | グリッド径 | 枚数 |
|---|---|---|---|---|---|
| US100-A05Q00 | 100um | 5nm | 25×25um Single Window | 3mm | 10 |
| US100-A05Q33A | 50×50um (8) 50×100um (1) 9 Windows |
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| US100-A05L | 50×1500um (2) 2 Slots |
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| US100H-A09Q33 [Hex frame] | 9nm | 100×100um (8) 100×350um (1) 9 Windows |
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| US100H-A15Q33 [Hex frame] | 15nm | 100×100um (8) 100×350um (1) 9 Windows |
酸化シリコンメンブレンTEMウィンドウ
Silicon Dioxide TEM Windows
20nm, 40nm
● プラズマクリーニングが可能 : 酸化シリコンメンブレンTEMウィンドウは、カーボングリッドと異なり強度にプラズマクリーニングが可能です。有機不純物を取り除き、画質を向上することができます。
● 均一性の向上 : フィールドからフィールドへの変動性が減少しました。
● 1000℃以上の耐熱性 : 高温で動的プロセスが観察される環境のTEMをサポートします。
● 化学的・機械的に非常に堅牢 : ほぼ全ての酸、アルカリ、有機溶媒に耐えることができ、コロイド、繊維、ナノ粒子、粉末、高分子及び線材料などの沈着、成長を直接支持膜上で観察、解析することができます。半導体産業に一般的なCVD、スパッター、電子ビーム或いは蒸着法などを適用できます。
SO100-A20Q33A
| Cat No. | フレーム厚 | 膜厚 | ウィンドウサイズ | グリッド径 | 枚数 |
|---|---|---|---|---|---|
| SO100H-A20Q33A | 100um | 20nm | 50×50um (8) 50×100um (1) 9 Windows | 3mm | 10 |