倍率較正試料
SEM, FESEM, FIB, CD-SEMの迅速で正確な倍率較正を容易に行うことができます。様々な測定範囲において十分な機能やトレーサブル較正基準を持ちます。これらは、最新の半導体及びMEMS製造技術を用いて作られています。
倍率較正試料は超平坦なシリコン基板上で作られており、5umまでのボックスに対し精密に50nmのクロム蒸着がされており、2umから100nmまでのボックスに対しては、50nmの金が20nmのクロム上に蒸着されています。シリコン上のクロム及び金／クロムは、SE及びBSEイメージングモードの両方において優れたコントラストをもたらします。シリコン基板及びクロム／金の特性全てに導電性があるため、帯電の問題がありません。また、頑丈な構造によりプラズマ洗浄が可能です。
より小さなボックスは、迅速な測定のために入れ子状になっています。ボックスの精度は<0.3%です。スタンダードのサイズは2.5×2.5mmで厚さ525±10umです。シリコン表面はコーティングされていません。各スタンダードには固有の識別番号が振られます。
倍率較正試料
S2009Tはピッチ2mm-1um 10～20,000倍までの倍率較正試料です。デスクトップSEM及び低倍率に適します。
S2009STはピッチ2mm-100nm 10～200,000倍までの倍率較正試料で、全てのSEM及び殆どのFESEMに適します。ピッチパターンは時計回りに螺旋状に縮小していきます。
S2009TとS2009STは共に、NISTスタンダードに対し個別に認定されています。
証明書サンプル: ⇒S2009T ⇒S2009ST
試料をマウントする試料台はこちらよりお選びください。又、試料のみもございます。試料は真空デシケーターでの保管をお薦め致します。
| Cat No. | マウントタイプ |
|---|---|
| S2009T | 試料のみ(U)又は マウントタイプ(A～Q) をお選びください。 |
| S2009ST |
倍率較正試料 ISO 17205
ISO 17205:2017の認証を取得した製品です。仕様は上記製品と同じです。
証明書サンプル: ⇒S2009T-ISO ⇒S2009ST-ISO
試料をマウントする試料台はこちらよりお選びください。又、試料のみもございます。試料は真空デシケーターでの保管をお薦め致します。
| Cat No. | マウントタイプ／再校正 |
|---|---|
| S2009T-IS | 試料のみ(U)又は マウントタイプ(A～Q) をお選びください。 |
| S2009ST-IS | |
| S2009T-IS-R | 再校正 |
| S2009ST-IS-R |
XY軸倍率較正試料
XY軸倍率較正試料
XY軸倍率較正試料は、試料を回転させることなくXY軸の倍率較正ができます。仕様は、上述の倍率較正試料と同じです。S2012XYTはピッチ2mm-1um 10～20,000倍までの倍率較正試料です。デスクトップSEM及び低倍率に適します。
S2012XYSTはピッチ2mm-100nm 10～200,000倍までの倍率較正試料で、全てのSEM及び殆どのFESEMに適します。ピッチパターンは時計回りに螺旋状に縮小していきます。
S2012XYTとS2012XYSTは共に、NISTスタンダードに対し個別に認定されています。
証明書サンプル: ⇒S2012XYT ⇒S2012XYST
試料をマウントする試料台はこちらよりお選びください。又、試料のみもございます。試料は真空デシケーターでの保管をお薦め致します。
| Cat No. | マウントタイプ |
|---|---|
| S2012XYT | 試料のみ(U)又は マウントタイプ(A～Q) をお選びください。 |
| S2012XYST |
XY倍率較正試料 ISO 17205
ISO 17205:2017の認証を取得した製品です。仕様は上記製品と同じです。
証明書サンプル: ⇒S2012XYT-ISO ⇒S2012XYST-ISO
試料をマウントする試料台はこちらよりお選びください。又、試料のみもございます。試料は真空デシケーターでの保管をお薦め致します。
| Cat No. | マウントタイプ／再校正 |
|---|---|
| S2012XYT-IS | 試料のみ(U)又は マウントタイプ(A～Q) をお選びください。 |
| S2012XYST-IS | |
| S2012XYT-IS-R | 再校正 |
| S2012XYST-IS-R |
Geller(ゲラー)社製
MRS-3 顕微鏡用倍率較正スタンダード
高精度の直接書込み電子ビーム製造機器で形成されています。パターンは、石英上に反射防止クロム(70nm Cr上に30nm Cr2O)で構成されています。二次電子像及び反射電子像ともに高い分解能を提供します。パターンは、全ての加速電圧におけるSEMの結像を可能にする、適切な導電性を有する材料で被膜されています。
MRS-3は、2um, 50um, 500umのピッチで、入れ子構造の四角形の集合を有します。最大パターンは8×8mm 500umピッチパターンで10～100倍の倍率に、50umピッチパターンは100～1000倍の倍率に用います。2umピッチパターンは、最大5万倍の倍率較正に用いることができます。総寸法は約9×9×2.3mmです。パターンは石英上に構成されており非常に脆いため、オプションの保護リテイナーの使用を推奨致します。
| 仕様 | ピッチパターン | 2um , 50um , 500um |
| 精度 | ±0.25um (500um ピッチ) ±0.1um (2um , 50um ピッチ) |
|
| パターン高さ | 0.1um | |
| 総寸法 | 9.0×9.0×2.3mm | |
| 適用倍率 | 10倍~50,000倍 | |
| 適用顕微鏡 | SEM (二次電子像、反射電子像) , TEM (反射電子像) AFM , STM , SPM , 光学顕微鏡 |
|
| 適用補正 | ディストーション補正 チルトアングル補正 CRT , レンズ焦点補正 |
|
| 基板 | 石英ガラス上にCr(70nm)／Cr2Oの膜パターンニング | |
| Cat No. | 品名 | 仕様 |
|---|---|---|
| S1990 | MRS-3 | Non Traceable |
| S1990-XY | XY Traceable | |
| S1990-XYZ | XYZ Traceable | |
| S1993 | Retainer | φ25.4×3.18mm(t) AL (Niコーティング) |
| S1993A | Pin stub for Retainer | φ25.4×φ3.2mm(Pin) |
| S1993M | M4 stub for Retainer | φ25×10mm(h) |
| S1993B | 光学顕微鏡用アダプター | 44.5×25.4×3.2mm(t) AL (Niコーティング) |
| S1990R-XY | XY 再較正／クリーニング／再コーティング | |
| S1990R-XYZ | XYZ 再較正／クリーニング／再コーティング | |
Geller(ゲラー)社製
MRS-4.2 顕微鏡用倍率較正スタンダード
高精度の直接書込み電子ビーム製造機器で形成されています。パターンは、石英上に反射防止クロム(70nm Cr上に30nm Cr2O)で構成されています。二次電子像及び反射電子像ともに高い分解能を提供します。パターンは、全ての加速電圧におけるSEMの結像を可能にする、適切な導電性を有する材料で被膜されています。
MRS-4.2は、1/2um, 1um, 2um, 50um, 500umのピッチで、入れ子構造の四角形の集合を有します。最大パターンは8×8mm 500umピッチパターンで10~100倍の倍率に、50umピッチパターンは100~1000倍の倍率に用います。2, 1, 1/2umピッチパターンは、最大20万倍の倍率較正に用いることができます。試料には、長さ6mm(X及びY), 1um刻みのマイクロ定規が搭載されています。 総寸法は約9×9×2.3mmです。パターンは石英上に構成されており非常に脆いため、オプションの保護リテイナーの使用を推奨致します。
| 仕様 | ピッチパターン | 0.5um , 1um 2um , 50um , 500um |
| 精度 | ±0.25um (500um ピッチ) ±0.1um (2um , 50um ピッチ) ±0.04um (1um , 0.5um ピッチ) |
|
| パターン高さ | 0.1um | |
| 総寸法 | 9.0×9.0×2.3mm | |
| 適用倍率 | 10倍~200,000倍 | |
| 適用顕微鏡 | SEM (二次電子像、反射電子像) , TEM (反射電子像) AFM , STM , SPM , 光学顕微鏡 |
|
| 適用補正 | ディストーション補正 チルトアングル補正 CRT , レンズ焦点補正 |
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| 基板 | 石英ガラス上にCr(70nm)／Cr2Oの膜パターンニング | |
| Cat No. | 品名 | 仕様 |
|---|---|---|
| S2005 | MRS-4.2 | Non Traceable |
| S2005-XY | XY Traceable | |
| S2005-XYZ | XYZ Traceable | |
| S1993 | Retainer | φ25.4×3.18mm(t) AL (Niコーティング) |
| S1993A | Pin stub for Retainer | φ25.4×φ3.2mm(Pin) |
| S1993M | M4 stub for Retainer | φ25×10mm(h) |
| S1993B | 光学顕微鏡用アダプター | 44.5×25.4×3.2mm(t) AL (Niコーティング) |
| S2005R-XY | XY 再較正／クリーニング／再コーティング | |
| S2005R-XYZ | XYZ 再較正／クリーニング／再コーティング | |
Geller(ゲラー)社製
MRS-6 顕微鏡用倍率較正スタンダード
| 精度(各ピッチ) | ±3nm | |
| パターン高さ | 15nm | |
| 総寸法 | 3.2×3.2×0.5mm | |
| 適用倍率 | 1,500倍~1,000,000倍 | |
| 各種用途 | 電子顕微鏡 | SEM (二次電子像、反射電子像) TEM (バルク) |
| SMP | STM, AFM, 触針･光学表面形状計測 | |
| 光学顕微鏡 | 反射、明視野･暗視野 位相コントラスト、共焦点 |
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| 化学マッピング | EDS, WDS, XRF, XPS, AES他 | |
| 分解能テスト | 3バーパターンを使用 USAF1953に類似 |
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| 線形性テスト | 複数サイズの ピッチパターンを利用 |
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| 基板 | Si単結晶上にCr膜パターンニング 完全導電性／優れたエッヂ解像力 |
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| パターン | ピッチ（線と隙間部分の幅） | |||||
| ネスティング ボックス | 2um | 1um | 500nm | 200nm 4ヶ | 100nm 4ヶ | 80nm 4ヶ |
| 直線性グリッド | 1um | |||||
| 3バー ターゲット | 3um | 2um | 1.5um | 1um | 900nm | 800nm |
| 700nm | 600nm | 500nm | 400nm | 300nm | 200nm | |
| 100nm | 80nm | |||||
高精度の直接書込み電子ビーム製造機器で形成されています。パターンは、Si単結晶上に15nm厚のクロムフィルムで構成されており、1,500～1,000,000倍の倍率に対応します。電界放出SEM及び最新のタングステンSEMまたはLab6 SEMの二次電子及び反射電子モードにおいてイメージングコントラストが可能です。全寸法は3.2×3.2×0.5mm(厚さ)です。MRS-6は全体に導電性を有するため、コーティングは必要ありません。スタンダードは、低出力の酸素プラズマエッチングで洗浄が可能です。スタンダードは非常に脆いため、Pin Stub又はHitachi M4 Stubへのマウント(S2010又はS2011)を推奨致します。
MRS-6は、米国NISTと相互承認協定(ISO)を締結している英国国立物理研究所（NPL）によって較正されています。
| Cat No. | 品名 | 仕様 |
|---|---|---|
| S2009-MRS | MRS-6 | Non Traceable |
| S2009-MRS-XY | XY Traceable | |
| S2010 | Mounting on Pin stub | φ12.7×φ3.2mm(Pin) |
| S2011 | Mounting on M4 stub | φ15mm |
| S2009-MRS-R | XY 再較正／クリーニング／再コーティング | |