孔開きシリコンナイトライド(Si3N4)支持膜

 最新の半導体及び特許を受けたMEMS技術によって、ナノテクノロジー・分子生物学研究のために開発された孔開きSi3N4支持膜です。非常にストレスの低い無機窒化ケイ素と確かな技術で製造されており、非常に高品質です。化学的(耐溶剤、耐酸性、耐塩基性)・機械的に優れており、1000℃までの温度に耐えます。幅広い温度間において、動的な反応のその場観察を可能にしますので、微粒子や細胞のナノテク実験に適しています。グロー放電又はプラズマクリーニングにより簡単に洗浄が可能です。

 こちらの製品にグラフェンフィルムを備えた製品も取り扱っております。 φ3mmのシリコンフレームは、標準的なTEMホルダーに適合します。膜の孔径は1.25um・1um・750nm・500nm・400nm・300nm・250nm・200nm・100nm・MIXタイプから選択できます。MIXタイプは300nm~1000nmまで6種類のサイズの孔が配列されています。

● シリコンフレーム: φ3mm 厚さ200um
● ウィンドウサイズ: 0.5×0.5mm
● Si3N4膜厚: 200nm
● 表面粗さ: RMS(Rq) 0.65±0.06nm (Ra) 0.45±0.02nm


Holey Silicon Nitride


Cat No.孔径
(nm)
ピッチ
(µm)
配列A
(µm)
B
(µm)
C
(µm)
枚数
S190-5000500010.090×904504502510
S190-250025005.045×45
S190-125012502.5180×180
S190-100010002.0225×225
S190-7507501.5300×300
S190-5005001.0450×450
S190-4004000.8562×562
S190-3003000.6750×750
S190-2502500.5900×900
S190-2002000.41125×1125
S190-1501500.41125×1125
S190-1001000.2375×3757575212.5

Holey Silicon Nitride


Cat No.孔径
(nm)
位置ピッチ
(µm)
配列枚数
S190-MIX1250A2.012×1210
900B1.517×17
600C1.025×25
400D0.831×31
350E0.642×42
250F0.550×50
200G0.465×65
150H0.380×80
70-100I0.2125×125

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