硫化ガリウム Gallium Sulfide (GaS)


結晶構造: 六方晶系タイプ: 合成色: 淡黄色
純度: >99.995%結晶サイズ: ----
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX
CAS No.: 12024-10-1

 硫化ガリウムは、電子的に間接遷移を有する半導体です。結晶は六方晶系で層状構造をしているため、機械的に容易にへき開面に沿って割ることができます。

Cat No.価格(¥)
SE-GASP.O.A

硫化ガリウム
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セレン化ガリウム Gallium Selenide (GaSe)


結晶構造: 六方晶系タイプ: 合成色: 茶色
純度: >99.995%結晶サイズ: ~10mm
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX
CAS No.: 12024-11-2

 セレン化ガリウムは間接遷移を有する半導体で、光学で使用されます。結晶は六方晶系で層状構造をしているため、機械的に容易にへき開面に沿って割ることができます。

Cat No.価格(¥)
SE-GASEP.O.A

セレン化ガリウム
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硫化ゲルマニウム Germanium Sulfide (GeS)


タイプ: 合成
純度: >99.995%結晶サイズ: ----
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX
CAS No.: 12025-32-0

 硫化ゲルマニウムは薄い金属結晶になります。結晶は層状構造をしており、機械的に容易にへき開面に沿って割ることができます。

Cat No.価格(¥)
SE-GESP.O.A

硫化ゲルマニウム
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セレン化ゲルマニウム Germanium Selenide (GeSe)


タイプ: 合成直接遷移(単層): 1.3eV
純度: >99.995%結晶サイズ: 3-5mm
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX
CAS No.: 12065-10-0

Cat No.価格(¥)
SE-GESEP.O.A


二硫化ハフニウム Hafnium Sulfide (HfS2)


結晶構造: 六方晶系タイプ: 合成色: 透明な臙脂色
純度: >99.995%結晶サイズ: ----
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX
CAS No.: 18855-94-2

 二硫化ハフニウムは間接遷移を有する半導体です。結晶は層状構造をしているため、機械的に容易にへき開面に沿って割ることができます。

Cat No.価格(¥)
SE-HFS2P.O.A

二硫化ハフニウム
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二セレン化ハフニウム Hafnium Selenide (HfSe2)


結晶構造: 六方晶系タイプ: 合成色: 黒色
純度: >99.995%結晶サイズ: ~8mm
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX
CAS No.: 12162-21-9

 二セレン化ハフニウムは遷移金属ダイカルコゲナイドで、電子的に間接遷移を有する半導体です。板状の結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、機械的に容易にへき開面に沿って割ることができます。

Cat No.価格(¥)
SE-HFSE2P.O.A

ニセレン化ハフニウム
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三セレン化二インジウム Indium Selenide (In2Se3)


結晶構造: 六方晶系タイプ: 合成色: 黒色
純度: >99.995%結晶サイズ: ~7mm特性: 半導体
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX
CAS No.: 12056-07-4

Cat No.価格(¥)
SE-IN2SE3P.O.A

セレン化インジウム
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天然二硫化モリブデン Molybdenum Disulfide (MoS2)


結晶構造: 六方晶系タイプ: 天然色: 黒銀色
純度: >99%結晶サイズ: ~15mm特性: 半導体
キャラクタライズ: XRD, RamanCAS No.: 1317-33-5

 二硫化モリブデンは遷移金属ダイカルコゲナイドで、電子的に間接遷移を有する半導体です。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、機械的に容易にへき開面に沿って割ることができます。

Cat No.価格(¥)
SE-MOS2P.O.A

二硫化モリブデン


合成二硫化モリブデン Molybdenum Disulfide (MoS2)


結晶構造: 六方晶系タイプ: 合成色: 黒銀色
純度: >99.995%結晶サイズ: ~10-20mm特性: 半導体
キャラクタライズ: XRD, RamanCAS No.: 1317-33-5

 二硫化モリブデンは遷移金属ダイカルコゲナイドで、電子的に間接遷移を有する半導体です。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、機械的に容易にへき開面に沿って割ることができます。P型・N型(ドープ無し)が選択できます。

Cat No.価格(¥)
SE-MOS2-P
(SE-MOS2-N)
P.O.A

二硫化モリブデン
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二セレン化モリブデン Molybdenum Diselenide (MoSe2)


結晶構造: 六方晶系タイプ: 合成色: 銀灰色
純度: >99.995%結晶サイズ: ~6-10mm特性: 半導体
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX
CAS No.: 12058-18-3

 二セレン化モリブデンは遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)で、単層は電子的に直接遷移を有する半導体です。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、機械的に容易にへき開面に沿って割ることができます。

Cat No.価格(¥)
SE-MOSE2P.O.A

二セレン化モリブデン
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二テルル化モリブデン Molybdenum Ditelluride (MoTe2)


結晶構造: 六方晶系タイプ: 合成色: 黒色
純度: >99.995%結晶サイズ: ~6-10mm特性: 半導体
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX
CAS No.: 12058-20-7

 二テルル化モリブデンは遷移金属ダイカルコゲナイドで、電子的に間接遷移を有する半導体です。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、機械的に容易にへき開面に沿って割ることができます。

Cat No.結晶構造価格(¥)
SE-MOTE2-1T1T'P.O.A
SE-MOTE2-2H2H

二テルル化モリブデン
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二硫化レニウム Rhenium Sulfide (ReS2)


結晶構造: 三斜晶系タイプ: 合成色: 黒銀色
純度: >99.995%結晶サイズ: ~6-8mm特性: 半導体
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX
CAS No.: 12038-63-0

 二硫化レニウムは遷移金属ダイカルコゲナイドで、電子的に間接遷移を有する半導体です。結晶は花びらのような層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。

Cat No.価格(¥)
SE-RES2P.O.A

二硫化レニウム
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二セレン化レニウム Rhenium Selenide (ReSe2)


結晶構造: 三斜晶系タイプ: 合成色: 黒メタリック色
純度: >99.995%結晶サイズ: ~6mm特性: 半導体
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX
CAS No.: 12038-64-1

 二セレン化レニウムは遷移金属ダイカルコゲナイドで、電子的に間接遷移を有する半導体です。結晶は層状構造をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。

Cat No.価格(¥)
SE-RES2P.O.A

二セレン化レニウム
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黒リン単結晶 Black Phosphorus


結晶構造: 斜方晶系タイプ: 合成色: 銀灰色
純度: >99.995%結晶サイズ: ~10mm特性: 半導体
キャラクタライズ: XRD, Raman, EDXCAS No.: 7803-51-2

 黒リン単結晶は約0.3eVのバンドギャップを有する半導体です。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。

Cat No.価格(¥)
SE-BPP.O.A

黒リン単結晶
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二硫化スズ Tin Sulfide (SnS2)


結晶構造: 六方晶系タイプ: 合成色: 透明な橙黄色
純度: >99.995%結晶サイズ: 10mm特性: 半導体
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX
CAS No.: 1315-01-1

 二硫化スズは遷移金属ダイカルコゲナイドで、電子的に間接遷移を有する半導体です。結晶は層状構造をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。

Cat No.価格(¥)
SE-SNS2P.O.A

二硫化スズ
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二セレン化スズ Tin Selenide (SnSe2)


結晶構造: 六方晶系タイプ: 合成色: 黒銀色
純度: >99.995%結晶サイズ: ~8mm特性: 半導体
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX
CAS No.: 20770-09-6

 二セレン化スズは遷移金属ダイカルコゲナイドで、電子的に間接遷移を有する半導体です。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。

Cat No.価格(¥)
SE-SNSE2P.O.A

二セレン化スズ
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二硫化タンタル Tantalum Sulfide (1T'-TaS2)


結晶構造: 六方晶系タイプ: 合成色: 黒色
純度: >99.995%結晶サイズ: ----特性: 半導体・CDW
キャラクタライズ: XRD, RamanCAS No.: 12143-72-5

 二硫化タンタルは遷移金属ダイカルコゲナイドです。最低温相における1T型二硫化タンタル (1T'-TaS2) は電荷密度波 (CDW) 超構造を有します。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。

Cat No.価格(¥)
SE-TAS2-1TP.O.A

二硫化タンタル
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二硫化タンタル Tantalum Sulfide (2H-TaS2)


結晶構造: 六方晶系タイプ: 合成色: 黒色
純度: >99.995%結晶サイズ: ----特性: 半導体・CDW
キャラクタライズ: XRD, RamanCAS No.: 12143-72-5

 二硫化タンタルは遷移金属ダイカルコゲナイドです。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。

Cat No.価格(¥)
SE-TAS2-2HP.O.A

二硫化タンタル
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二セレン化タンタル Tantalum Selenide (TaSe2)


結晶構造: 六方晶系タイプ: 合成色: 黒色
純度: >99.995%結晶サイズ: ~8mm特性: 半導体
キャラクタライズ: XRD, RamanCAS No.: 12039-55-3

 二セレン化タンタルは遷移金属ダイカルコゲナイドです。結晶は層状構造をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。

Cat No.価格(¥)
SE-TASE2P.O.A

二セレン化タンタル
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二硫化タングステン Tungsten Disulfide (WS2)


結晶構造: 六方晶系タイプ: 合成色: 銀灰色
純度: >99.995%結晶サイズ: ~10mm特性: 半導体
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX
CAS No.: 12138-09-9

 単層二硫化タングステンは室温フォトルミネッセンスを示します。二硫化タングステンは、水素やリチウムの貯蔵や固体潤滑剤としても使用されてきました。

Cat No.価格(¥)
SE-WS2P.O.A

二硫化タングステン
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二セレン化タングステン Tungsten Diselenide (WSe2)


結晶構造: 六方晶系タイプ: 合成色: 銀灰色
純度: >99.995%結晶サイズ: ~10mm特性: 半導体
キャラクタライズ: XRD, ICP, EDX
CAS No.: 12067-46-8

 二セレン化タングステンは6族遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)で、約1.35eVのバンドギャップを有する半導体です。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。

Cat No.価格(¥)
SE-WSE2P.O.A

二セレン化タングステン
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二テルル化タングステン Tungsten Ditelluride (WTe2)


結晶構造: 斜方晶系タイプ: 合成色: 銀灰色
純度: >99.995%結晶サイズ: ----特性: 半金属・半導体
キャラクタライズ: XRD, EDAXCAS No.: 12067-76-4

 二テルル化タングステンは6族遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)です。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。

Cat No.価格(¥)
SE-WTE2P.O.A

二テルル化タングステン
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二硫化ニオブ Niobium Sulfide (NbS2)


結晶構造: 六方晶系タイプ: 合成色: 黒銀色
純度: >99.995%結晶サイズ: ~4mm特性: 超伝導体
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX
CAS No.: 12136-97-9

 二硫化ニオブは、Tc(転移温度)約6Kの超伝導体です。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。

Cat No.価格(¥)
SC-NBS2P.O.A

二硫化ニオブ
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二セレン化ニオブ Niobium Selenide (2H-NbSe2)


結晶構造: 六方晶系タイプ: 合成色: 黒銀色
純度: >99.995%結晶サイズ: ~8mm特性: 超伝導体
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX
CAS No.: 12034-77-4

 二セレン化ニオブは遷移金属ダイカルコゲナイドで、Tc(転移温度)約7.2Kの超伝導体です。30K以上で電荷密度波転移を示すことが報告されています。結晶は層状構造をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。

Cat No.価格(¥)
SC-NBSE2P.O.A

二セレン化ニオブ
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二セレン化チタン Titanium Selenide (1T-TiSe2)


結晶構造: 六方晶系タイプ: 合成色: 銅-黒メタリック色
純度: >99.995%結晶サイズ: ----特性: 半導体
キャラクタライズ: XRD, RamanCAS No.: 12067-45-7

 二セレン化チタンは遷移金属ダイカルコゲナイドです。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。

Cat No.価格(¥)
SE-TISE2P.O.A

二セレン化チタン
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二テルル化チタン Titanium Ditelluride (TiTe2)


結晶構造: 六方晶系CAS No.: 12067-75-3タイプ: 合成
純度: >99.995%結晶サイズ: >5mm特性: 半導体
キャラクタライズ: XRD, Raman

 二テルル化チタンは遷移金属ダイカルコゲナイドです。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。


Cat No.価格(¥)
SE-TITE2P.O.A

窒化ホウ素 hexagonal Boron Nitride (h-BN)


結晶構造: 六方晶系CAS No.: 10043-11-5タイプ: 合成
純度: >99.99%キャラクタライズ: XRD, Raman特性: 絶縁体
結晶サイズ: 1-1.5mm (厚さ100um)

 純度99.99%以上で最高品質の六方晶窒化ホウ素結晶は科学研究に最適です。h-BN結晶状に転写された単結晶グラフェンは超高移動度を示します。また、単結晶h-BNは、非常に大きな降伏電圧(>0.4V/nm)が表すように、優れた絶縁体です。大きいサイズのh-BN単結晶は基板(SiO2,ポリマー,石英等)上でへき開することができます。へき開された結晶は原子的に平坦で、AFM(原子力顕微鏡)下で非常に清浄な表面を見ることができます(汚染の痕跡がありません)。他社製品にはへき開面に汚染物質が多数見受けられることがあり、この特性は重要です。h-BN結晶はガラスバイアルに密封されています。

 h-BNは、グラファイトと同様に弱いファンデルワールス力により結合されており、容易にへき開面に沿って割ることができます。h-BN単層は、ホウ素と窒素原子の共有結合により、非常に強く結合しています。空気中で1000℃、真空中で1400℃まで、優れた熱安定性を示します。

 h-BNのへき開特性 : スコッチテープ法を用いてSiO2, 石英, PMMA等の表面上でへき開することができます。へき開の品質は、SiO2上でのへき開に比べ、PMMAなどのポリマー上でのへき開のほうが遥かに優れます。一般的にPMMA上では、SiO2上に比べ容易に大きいサイズのh-BN単層が見つかります。


Cat No.数量価格(¥)
IN-BN-2020P.O.A

窒化ホウ素
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セレン化ビスマス Bismuth Selenide (Bi2Se3)


結晶構造: 菱面体晶系タイプ: 合成色: 黒銀色
純度: >99.995%結晶サイズ: ~10mm特性: トポロジカル絶縁体
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX
CAS No.: 12068-69-8

 セレン化ビスマスはトポロジカル絶縁体です。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。

Cat No.価格(¥)
IN-BI2SE3P.O.A

セレン化ビスマス
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テルル化ビスマス Bismuth Telluride (Bi2Te3)


結晶構造: 菱面体晶系タイプ: 合成色: 黒銀色
純度: >99.995%結晶サイズ: ~10mm特性: トポロジカル絶縁体
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX
CAS No.: 1304-82-1

 テルル化ビスマスはトポロジカル絶縁体です。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。

Cat No.価格(¥)
IN-BI2TE3P.O.A

テルル化ビスマス
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高配向性熱分解黒鉛 Highly Oriented Pyrolitic Graphite (HOPG)


結晶構造: 六方晶系タイプ: 合成グレード: ZYA
純度: >99.995%結晶サイズ: ~12×12×2mm特性: 半金属
キャラクタライズ: XRD, Raman

Cat No.価格(¥)
ME-HOPGP.O.A

高配向性熱分解黒鉛
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ニセレン化白金 Platinum Selenide (PtSe2)


結晶構造: 六方晶系タイプ: 合成色: 黒銀色
純度: >99.99%結晶サイズ: ~2mm特性: 半金属
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX
CAS No.: 12038-26-5

 セレン化白金は遷移金属ダイカルコゲナイドです。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。

Cat No.価格(¥)
ME-PTSE2P.O.A

セレン化白金
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二硫化チタン Titanium Sulfide (TiS2)


結晶構造: 六方晶系タイプ: 合成色: 金メタリック
純度: >99.995%結晶サイズ: ~10mm特性: 半金属
キャラクタライズ: XRD, RamanCAS No.: 12039-13-3

 ニ硫化チタンは遷移金属ダイカルコゲナイドです。金属リチウム電池の正極材として一般的に使用されています。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。

Cat No.価格(¥)
ME-TIS2P.O.A

二硫化チタン
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ニセレン化バナジウム Platinum Selenide (VSe2)


タイプ: 合成色:純度: >99.995%
結晶サイズ: ~7-10mmキャラクタライズ: XRD
CAS No.: 12299-51-3

 二セレン化バナジウムは遷移金属ダイカルコゲナイドです。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。

Cat No.価格(¥)
ME-VSE2P.O.A

二セレン化バナジウム
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